文章摘要:熔融石英陶瓷在使用过程中的析晶现象一直备受关注。采用XRD、SEM、FT-IR、XPS分析手段研究了SiBON陶瓷物相结构、表面形貌、化学键存在形式对其析晶行为的影响。结果表明，SiBON陶瓷在氮气保护条件下经1550 ℃烧结后仍可有效抑制方石英的析出，同一温度在真空气氛下烧结制成的样品抑制析晶效果不佳。SiBON陶瓷的物相组成为非晶SiBON、Si₃N₄、BN，抑制析晶机理为B、N元素的掺杂使SiO₂中的Si-O-Si键转变为B-O-Si、Si-O-N键，由此生成的Si-B-O-N非晶结构提高了SiO₂的析晶活化能。

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